《外資》外資：中國半導體自主化加速 矽晶圓滿足度年年增

美系外資指出，在全球市場版圖下，產業團隊近期更新並檢視了矽晶圓、碳化矽（SiC）基板、氮化鎵（GaN）元件與絕緣柵雙極性電晶體（IGBT）四大領域的供需模型。隨着中國半導體供應鏈自主化進程的加速，當地生產對國內需求的覆蓋率將穩步提升，產品價格趨勢與產能擴張方向也正悄然轉變。

首先，12吋矽晶圓與6吋SiC基板在中國的「在地供應率」（即本地生產佔本地需求比重）預計將自2024年的41%、80%，分別提升至2027年的54%、87%。8吋矽晶圓平均售價則預估在2024至2026年間年複合下滑10%，價格競爭更爲激烈，相較之下，12吋晶圓價格年減幅度爲6%。SiC基板的價格亦將從2024年的443美元降至2026年的384美元，有助於縮小SiC MOSFET與傳統矽基IGBT間的成本差距，提升整體競爭力。

在產能方面，12吋矽晶圓的產能年複合成長率（CAGR）預計達21%，遠高於8吋晶圓的3%；SiC基板則預期6吋與8吋產能將分別以26%與96%的速度擴張，以滿足日益成長的市場需求。

從產業集中度觀察，美系外資指出，至2027年，中國前三大矽晶圓供應商的總產能預計可滿足當地36%的需求，較2024年的26%明顯提升，顯示產業整並效益逐步浮現。

展望中國市場規模，美系外資指出，12吋矽晶圓本地供應2024年可滿足41%的需求，預計到2027年提升至54%；8吋晶圓的本地供應覆蓋率亦將自64%升至78%。SiC基板市場規模預估2025年達6.37億美元，至2030年將以34%的年複合成長率成長至28億美元，主要受惠於電動車滲透率提升與SiC導入比例自2025年的28%攀升至2030年的75%。屆時，中國本地SiC基板供應預估將可滿足84%的需求。

最後，美系外資指出，GaN元件市場將從2025年的4.31億美元成長至2030年的16億美元，年複合成長率達30%，主要應用領域包括電動車、資料中心與消費性電子；而IGBT市場則因SiC取代趨勢明顯，預估規模將自2025年的42億美元萎縮至2030年的28億美元，年負成長率爲8%。值得注意的是，2025與2026年間，中國IGBT的供需比將超過100%，分別達128%與131%。