SiC崛起 漢磊帶頭衝

SiC族羣強勢走揚

近日SiC族羣異軍突起，主因是輝達電力大革命將導入SiC（碳化矽），使得環球晶（6488）、中美晶（5483）、超峰（8121）、漢磊（3707）等相關個股大漲，環球晶、中美晶、嘉晶均攻上漲停。

AI巨頭輝達一舉一動受到舉世關注，預計明年推出Rubin平臺，正在與臺積電研究將矽中介層材料升級爲碳化矽，同時臺積電也希望以12寸碳化矽解決CoWoS矽中介板散熱難題，輝達和臺積電的電力大革命將從目54V提升到800V，因此使得SiC更顯重要。

在半導體大展推波助瀾下，SiC族羣受到市場關注，環球晶、嘉晶等衝上漲停板，越峰、中美晶接近漲停。單週漲幅最高的是合晶，達23.36％，越峰一個月漲幅就達到62.97％。

漢磊近期推出第四代平面型SiC製成平臺，可將晶片尺寸縮小20％，導通電阻降低20％，達到國際水準，有助於提升良率和競爭。越峰SiC材料拓展到AI眼鏡，鏡片只要一顆LED光源就可達到全反射，比傳統玻璃的3顆LED更輕。

豐銀投顧分析師陳奇琛認爲，過去矽的長晶速度比較快、成本低，但是發展SiC就要高溫，纔能有堅硬如鑽石的硬度，因此還需要一段研發時間，而且SiC長晶慢，成本高，目前製作困難。