三星三年內量產下一代VCT DRAM　目標「跳代」超車SK海力士

▲南韓三星電子。（圖／記者高兆麟攝）

記者高兆麟／綜合報導

據外媒報導，韓國三星電子已確定了三年內量產下一代VCT DRAM的計劃。據業內人士27日透露，三星電子半導體（DS）部門管理層已經敲定了這一路線圖，並已開始認真進行該產品的量產工作。

據韓國首爾經濟日報報導，VCT DRAM是指儲存元件中控制電流流動的電晶體垂直排列的產品。它被認爲是一個「遊戲規則改變者」，透過放置比現有平放方法更多的電晶體，可以實現高容量。但這種方法比現有製程要困難和複雜得多。要突破技術壁壘並不容易，因爲它不僅需要製造記憶體的前期工藝，還需要現有DRAM製程中未曾用到的先進封裝製程。

三星電子目前正在量產10奈米第五代DRAM，並計劃今年量產第六代。在確定明年開發第 7 代 DRAM 的計劃後，三星對第 8 代 (1e) DRAM 和全新方法 VCT DRAM 進行了權衡，最終決定採用 VCT DRAM 方法。據悉，SK海力士已制定了第七代到1奈米級第一代（0a）再到垂直DRAM（VG）的導入時間表，而三星電子的計劃若得以實現，則可能領先一步開啓VDRAM時代。據報導，三星電子第八代產品先行研究機構已與第七代產品先行研究機構合併。

業界預計 VCT DRAM 將在兩到三年內應用於實際產品。業內人士表示，三星最近在單體DRAM方面落後，因此這似乎是想通過超越競爭對手，重新贏得未來技術領先者的驕傲。

三星電子相關人士就此事解釋稱，具體的DRAM路線圖尚未最終確定。