全球搶攻 2奈米戰局白熱化

三星電子、日本Rapidus與美國英特爾都加速佈局，爭相達陣2奈米節點。圖／美聯社

三星、Rapidus、英特爾2奈米制程進展

臺積電2奈米技術傳出外泄之際，全球半導體業者正全力投入2奈米制程研發與量產，瞄準高效能、低功耗晶片的龐大市場需求，包括三星電子、日本Rapidus與美國英特爾都加速佈局，爭相達陣2奈米節點，形成激烈的多方競逐態勢。

三星已確認將於今年下半啓動2奈米制程量產，並在先前公佈第一季財報時透露，今年內將量產採用2奈米節點的手機晶片。市場普遍預測這款手機晶片就是Exynos 2600，將應用於明年初發表的Galaxy S26系列。三星在3奈米制程中率先導入GAA（環繞閘極）架構，儘管初期良率不佳，但累積經驗後已着手強化2奈米制程的穩定性與產能。

目前三星在晶圓代工市場僅握有7.7％市佔率。報導稱，三星2奈米制程良率僅約40％，遠低於臺積電超過60％的水準。爲強化客戶信心，三星近期延攬前臺積電高層加入主導美國代工業務，積極吸引高階客戶，以擴大在先進製程市場的競爭力。

值得注意的是，三星日前與特斯拉簽下165億美元的先進晶片訂單，由三星位在德州奧斯丁的工廠爲特斯拉生產下一代AI6製程晶片。這項交易也顯示特斯拉對三星的先進製程充滿信心。

另一方面，日本新興晶圓代工廠Rapidus於7月宣佈，已在北海道千歲市的IIM-1廠進行2奈米GAA電晶體的測試原型晶圓製作。初步晶圓已達到預期電氣特性，代表製程開發與設備整合進展順利。該廠自2023年9月開工以來進展迅速，去年完成無塵室建置，到今年6月爲止已連接超過200臺先進設備，包括DUV與EUV曝光機。

英特爾則將2奈米節點品牌化爲「Intel 18A」，預計於今年下半量產。該製程結合RibbonFET與背面供電技術，是英特爾爭奪晶圓代工市佔的關鍵。然而，英特爾的代工業務長期以來面臨延誤與財務壓力，加上臺積電與三星的競爭，挑戰仍大。

近期外媒《Webpronews》報導指出，英特爾正面臨另一項更爲嚴峻的挑戰，那就是必須在未來18個月內爲下一代14A製程找到大客戶，否則先進製程事業恐將岌岌可危。英特爾14A製程預計於2028至2029年間量產，爲英特爾在High-NA EUV 技術核心的投資節點。據悉，英特爾已開始引導潛在客戶將目光轉向14A，而非當前的18A節點。