全球半導體市場2030年將破兆 ASM協助半導體先進製程往2奈米以下挺進

ASM技術副總裁Glen Wilk說明ALD如何協助半導體先進製程往2奈米以下挺進。圖／ASM提供

全球半導體前端製程設備龍頭ASM臺灣先藝科技（Euronext Amsterdam: ASM）出席 SEMICON Taiwan 2025國際半導體展 「半導體先進製程科技論壇」，由技術副總裁 Glen Wilk發表主題演講，提出：「Every monolayer matters —極致製程，從每一層原子開始」，說明ASM如何透過原子層沉積（ALD）與磊晶（Epi）技術的極致精準控制，推動晶片製造挺進2奈米至埃米等更先進節點，佈局下一波半導體創新浪潮。

隨着人工智慧與高效能運算等應用需求攀升，全球半導體產業預計將於2030年突破1兆美元規模，晶片架構也正加速邁向垂直3D 化。 Glen Wilk 指出，3D結構對沉積製程的精準度與厚度控制提出更高要求，因此ALD與Epi技術將成爲影響晶片性能與可靠性的關鍵。

在FinFET 漸趨極限之際，GAA 與 CFET 成爲邏輯製程的下一代主流架構。ASM的ALD與磊晶（Epi）技術可在複雜3D結構中提供原子級的高精準度、高均勻性與高階梯覆蓋率的材料沉積，支援高密度、低功耗的電晶體設計。Wilk更提出，選擇性沉積（Area Selective Deposition）技術能有效解決先進製程中的挑戰，僅在指定位置沉積材料，有助提升製程良率、元件可靠性與整體效能，適用於2奈米及以下製程與異質整合、混合鍵合等先進封裝應用。

ASM表示，過去50年以來，晶片的演進主要透過縮小電晶體的尺寸來實現。自7奈米節點起，線寬微縮速度放緩，元件性能與能效的提升，則仰賴設計技術協同優化（DTCO），例如GAA、晶背供電（BSPD）、垂直堆疊等技術，以及系統技術協同優化（STCO），例如先進封裝。這些新設計導入更復雜的結構，對薄膜沉積製程的精準度與控制力提出更高要求。Wilk 博士強調，磊晶技術是 GAA 元件的核心，在先進邏輯製程中扮演愈加關鍵的角色。在 FinFET 時代，電晶體內電子流通的通道厚度由微影與蝕刻決定；進入 GAA 時代，通道則透過原子級精準度的磊晶製程技術長出來。ASM 的ALD與磊晶技術不僅驅動當今最先進的晶片製造，更是GAA 與 CFET 技術持續突破的關鍵。

今年ASM也將參與SEMICON Taiwan 的AI 半導體技術概念區 （AI Technology Zone），展期間設立互動專屬攤位，現場除由專業團隊介紹品牌理念、關鍵技術與就業機會外，更設計主題遊戲「原子層沉積大師 （Master of Atomic Layering）」，讓參觀來賓可藉由現場直立式觸控螢幕的數位裝置，化身晶片工程師，親身體驗半導體制程中關鍵工藝，透過堆疊遊戲挑戰「原子級精準度」，從導電層、介電層和3D結構層三階段關卡，深入認識ASM的ALD技術如何推動先進製程的演進。

ASM爲在ALD市佔逾五成，爲ALD技術領導者，公司連續八年維持雙位數成長，並預期至2028年前員工數雙位數成長，持續擴大在臺投資，創造更多本地就業機會。

ASM 臺灣總經理呂秉澄表示，ASM 即將迎來在臺灣深耕的第20年，過去五年來，團隊規模成長超過三倍，辦公據點遍佈林口、新竹、臺中、臺南與高雄。臺灣不僅是ASM創新技術的重要前線，更是銷售與在地服務的核心樞紐，持續支援臺灣半導體從2奈米制程邁向埃米級技術節點的關鍵發展。

ASM 臺灣總經理呂秉澄。圖／ASM提供