美擬擴大半導體租稅減免 臺積、環球晶、三星等有望受惠
半導體示意圖。路透
美國參議院財政委員會16日發佈參院版租稅法案，擴大租稅減免，彭博報導指出，包括暫時提高半導體制造業者投資租稅減免比率、給予乾淨能源稅務抵減優惠延長等，外界看好臺積電（2330）、環球晶等投資美國企業能直接受惠。
但因部分條文與衆院版有重大歧異，可能掀共和黨「租稅內戰」，威脅總統川普「大而美」法案的前景。
參院財政委員會16日發佈參院版租稅法案後，力拚下週通過，希望在7月4日獨立紀念日前與衆院敲定最終版本，送交川普簽署成法律。
參院提議把工廠投資的稅額抵減比率，從現行25%提高至30%，激勵晶片業者在2026年底租稅優惠到期前加速興建新廠，主要受惠者包括英特爾、臺積電（2330）、三星、環球晶等業者。
儘管川普一直呼籲廢除晶片法，兩黨議員都不願取消這項能爲選區帶來高薪工作的補助計劃。
臺積電先前已宣佈有意加碼投資美國千億美元，美國新廠三廠近期已動土，整體六座新廠建設也按表進行，臺積電美國新廠子公司也對美商務部建言，利用稅法可提升美國半導體制造業競爭力。美國官方應尋求延長先進製造業投資抵免時間。支持紐約州共和黨衆議員克勞迪婭·坦尼（Claudia Tenney）最近提出的「建造先進半導體」法案、投資信貸（基本法案）法案，將信貸額度從25%提高到35%，並將投資抵免期限延長到2030年。
半導體矽晶圓大廠環球晶近年擴大美國佈局，投入35億美元興建德州新廠，擴建密蘇里廠12吋絕緣層上覆矽（SOI）晶圓產能，預計將分階段獲得美國商務部補助約4.06億美元及25%稅收抵減。
若美國稅改法案將稅收抵減比率從25%提高至30%，環球晶受惠多。
環球晶董事長徐秀蘭先前指出，德州新廠第一期廠房第1季已有小量營收挹注，預期今年美國廠營收可望逐季成長，並有意再加碼投資40億美元，在美總投資額達75億美元，但前提是德州新廠前兩期廠區能獲利，且有客戶需求，纔會展開第三期和第四期廠區投資。
參院版法案的核心部分與衆院版相似，但若干調整與衆院版有重大歧異。
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