每秒存取25億次！復旦團隊研製全球最快閃存器件

日前，復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室周鵬、劉春森團隊成功研製“破曉”閃存器件，擦寫速度達到400皮秒，比傳統閃存的擦寫速度快100萬倍，是人類迄今掌握的最快半導體電荷存儲器件。北京時間4月16日晚，相關成果發表於國際頂尖期刊《自然》。

團隊基於器件物理機制的創新，持續推進高速非易失性閃存技術的研發。通過巧妙結合二維狄拉克能帶結構與彈道輸運特性，調製二維溝道的高斯長度，從而實現溝道電荷向存儲層的超注入。這一超注入機制與現有閃存電場輔助注入規律截然不同：傳統注入規律存在注入極值點，而超注入則表現爲無限注入。團隊構建了準二維高斯模型，成功從理論上預測了超注入現象，並據此研製“破曉（PoX）”皮秒閃存器件，其性能超越同技術節點下世界最快的易失性存儲SRAM技術。“破曉”存儲器件的穩定性高度依賴工藝流程的一致性。通過AI算法對工藝測試條件實現科學優化，極大推動技術創新與落地。

二維超注入機制將非易失存儲速度提升至～1T的理論極限，標誌着現有存儲技術邊界將被重新定義。閃存作爲性價比最高、應用最廣泛的存儲器，一直是國際科技巨頭技術佈局的基石。團隊研發的突破性高速非易失閃存技術，不僅有望改變全球存儲技術格局，進而推動產業升級並催生全新應用場景，還爲我國在相關領域實現技術引領提供強有力支撐。

編輯: 陳含璐

責編: 魯珺