美光、三星電子等NAND廠商4月起提高報價，科創芯片ETF（588200）漲逾1%，思瑞浦漲超5%

3月18日，A股三大指數集體高開，創業板指漲逾1%，存儲芯片概念股異動。上證科創板芯片指數（588200，下稱“科創芯片指數”）高開強勢。

相關ETF方面，科創芯片ETF（588200）盤中衝高，現漲超1%，成交額超8億元，溢折率0.04%。成分股方面，思瑞浦漲超5%，瀾起科技、芯原股份、佰維存儲等跟漲；源傑科技、芯源微、芯動聯科小幅下跌。

消息面上，繼閃迪此前通知4月1日將上調NAND閃存報價後，由於三星電子、SK海力士進行減產，美光日前新加坡NAND廠發生跳電，導致NAND供貨轉趨吃緊，美光、三星電子、SK海力士等廠商均將從4月起提高NAND閃存報價。NAND價格回漲速度高於原先預期。

科創芯片ETF（588200）跟蹤科創芯片指數，該指數從科創板上市公司中選取業務涉及半導體材料和設備、芯片設計、芯片製造、芯片封裝和測試相關的證券作爲指數樣本，前十大重倉股包括寒武紀-U、海光信息、中芯國際、中微公司、瀾起科技等。

此外，科創芯片ETF（588200）還配備了場外聯接基金（A類：017469；C類：017470）。

華福證券表示，供需節奏錯位可能是存儲價格上漲的主要原因。在供給端，從去年末以來，三大存儲原廠不斷釋放減產的信號。在需求端，AI資本開支驟增加大了對存儲的需求規模。AI大模型包括訓練和推理環節都對算力提出了更高的要求。數據中心對於高帶寬存儲（HBM）、大容量DDR5及企業級SSD的需求也在快速激增。存儲供需缺口擴大有望反轉過往對於存儲市場的悲觀預期，給存儲板塊帶來新一輪投資行情。

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