聯電先進封裝，拿下大客戶

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來源：內容來自經濟日報。

聯電跨足先進封裝大躍進，奪下高通大單，自行開發的高階中介層（Interposer）也獲得高通驗證，邁入量產出貨倒數計時階段。法人看好，聯電透過跨國合作，攜手國際大廠搶食AI等高速運算大商機，後市看俏，並可藉由差異化優勢，降低紅色供應鏈在成熟製程晶圓代工市場激烈競爭的干擾。

聯電不評論特定客戶，強調先進封裝是該公司積極發展的重點，將攜手智原、矽統等轉投資事業，以及華邦等記憶體夥伴，攜手打造先進封裝生態系。

聯電去年底攜手高通展開高速運算先進封裝合作，鎖定AI PC、車用，以及當紅的AI伺服器市場，陸續傳出捷報。

供應鏈透露，聯電第一批中介層1500電容已通過高通的電性測試，目前開始試產，預計2026年首季有機會量產出貨，高通併購置爐管機臺放在聯電廠房，凸顯雙方合作緊密。業界分析，此次聯電通過高通認證的產品採用1500nF/mm^2電容，主要搭配高通的IC和記憶體所需要的電容值。

業界人士指出，聯電佈局先進封裝，先前在製程端僅供應中介層，應用在RFSOI製程，對營收貢獻有限。隨着高通採用聯電先進封裝製程打造高速運算芯片，近期雙方合作又進一步發展．對聯電來說將能降低紅色供應鏈在成熟製程的低價競爭，闖出一條不同之路。

先進封裝技術方面，例如2.5D和3D封裝這些封裝方式需要將多個芯片堆疊或並排放置，這時候中介層電容就顯得特別重要。

據悉，先進封裝最關鍵製程就是需要曝光機臺製造的中介層，加上需要超高精密程度的矽穿孔，讓2.5D或3D先進封裝堆疊的芯片訊號可相互聯繫，聯電具備生產中介層的機臺設備之外，十年前就已將TSV製程應用超微GPU芯片訂單上，等於聯電完全具備先進封裝製程量產技術的先決條件，是獲得高通青睞的主要原因。

法人看好，聯電相關策略將強化先進封裝生態系與客戶黏着度，因爲高通不僅下單，甚至購置爐管機臺放進聯電廠房，顯示合作深度高、信任感強，聯電也藉此串連旗下智原、矽統、華邦等公司及夥伴，進一步建構先進封裝的完整生態系。

在切入先進封裝領域建立差異化優勢之際，聯電的晶圓代工本業也積極推進高壓制程技術，包括14納米鰭式場效電晶體（FinFET）嵌入式高壓制程技術平臺（14eHV）有新進展，與英特爾合作也傳出將由原規劃的12納米延伸至6納米，卡位先進製程市場。

聯電去年斥資156億元投入研發，專注開發5G通訊、AI、物聯網及車用電子等領域所需的製程技術，並鑽研特殊製程，在12納米和14納米特殊製程及3D IC先進封裝研發也有進展。

聯電董事長洪嘉聰指出，12納米FinFET製程技術平臺（12FFC）相較於14納米技術（14FFC），芯片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分發揮FinFET的優勢，可廣泛應用於各種半導體產品。

洪嘉聰說，與14FFC相比，12納米技術在優化的FinFET設備下，可實現10%的性能提升，透過降低電壓減少20%功耗，採用六走線軌道設計，使面積減少超過10%，並節省三層光罩，進一步增強聯電成本競爭力。

聯電精進製程研發之餘，也擴大國際合作。近期市場傳出，聯電正探索與英特爾延伸製程合作的可能性。

*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。

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