力積電第3季每股虧損0.65元 11月調漲代工價

力積電總經理朱憲國。（本報系資料庫）

晶圓代工廠力積電（6770）今日舉行法說會公佈第3季財報 ，受惠跌價損失回沖及匯損減少，第3季稅後虧損27.28億元，每股稅後虧損0.65元，雖然連續九季虧損，但比前一季每股虧損0.8元收斂；前三季每股虧損1.71元。公司釋出本季調漲晶圓代工價格，漲價效益11月會顯現，這也意謂單月將出現轉盈的好契機，不過公司因未做財測，不對本季能否轉盈做任何評論。

力積電總經理朱憲國表示，利基型DRAM 因產能排擠效應影響，價格持續上漲，本季投片量與價格都會上升，他預估這波DRAM漲價將會延續至明年上半年，營運可望明顯改善。

力積電預估第4季產能利用率約與第3季持平，記憶體維持滿載、邏輯相對偏弱。第4季受惠產記憶體價格上揚及先進封裝佈局效益加持，營運已朝向逐季正向發展。

朱憲國強調，AI帶動 HBM 等高階記憶體需求爆發，因大廠將產能轉往 HBM 而受排擠，利基型DRAM價格也將持續上漲；SLC NAND 因三星與SK海力士減產，價格也自第3季谷底翻揚；編碼型快閃記憶體（NOR Flash） 受惠智慧物聯網（AIoT） 應用需求推升，價格也呈現上揚。

他預估這波記憶體熱度可望延續至 2026 年上半年，爲此力積電也將自11月起開始漲價，並預期供需持續緊張，價格可望持續上漲。

至於邏輯晶片部分，中國十一長假後消費性電子需求平淡，雙11備貨潮不如以往，個大品牌業者也普遍保守看待，此外，歐美車廠稼動率僅約 55%，力積電坦言，年終消費旺季面臨挑戰，預期第4季稼動率大致維持上季。

先進封裝佈局方面，力積電第3季 3D AI Foundry 產品線營收比重約 2%。至於晶圓堆疊（Wafer stacking）產品也進入客戶驗證階段，規畫 明年下半年量產；中介層 (Interposer) 已有多家客戶完成設計定案 (tape-out)，並達量產水準，將擴大產能滿足客戶需求。

力積電也持續強化電源管理IC與功率元件，預期PMIC、MOS、GaN等相關產品將是爲未來營運重點之一。至於法人關注與Navitas 的合作，力積電錶示雙方合作已逾3年，預料隨臺積電退出氮化鎵（ GaN ）市場，客戶將陸續轉單至力積電。