《科技》ASM雙技術助攻 搶先進製程商機

隨着AI與高效運算（HPC）等應用需求攀升，全球半導體業規模預計將在2030年突破1兆美元，晶片架構加速邁向垂直3D化。ASM技術副總裁Glen Wilk指出，3D結構對沉積製程的精準度與厚度控制要求更高，使ALD與磊晶技術成爲影響晶片性能與可靠性的關鍵。

在鰭式場效電晶體（FinFET）漸趨極限之際，環繞閘極（GAA）與互補式場效電晶體（CFET）成爲邏輯製程下一代主流架構。ASM的ALD與磊晶技術可在複雜3D結構中提供原子級的高精準度、高均勻性與高階梯覆蓋率的材料沉積，支援高密度、低功耗的電晶體設計。

Glen Wilk提出，選擇性沉積（Area Selective Deposition）技術能有效解決先進製程中的挑戰，僅在指定位置沉積材料，有助提升製程良率、元件可靠性與整體效能，適用於2奈米及以下製程與異質整合、混合鍵合等先進封裝應用。

Glen Wilk強調，磊晶技術爲GAA元件核心，在先進邏輯製程中的角色愈加關鍵。在FinFET時代，電晶體內電子流通的通道厚度由微影與蝕刻決定，GAA時代則透過原子級精準度的磊晶製程技術生成，ASM的ALD與磊晶技術將是GAA與CFET技術持續突破的關鍵。

ASM將於SEMICON Taiwan 2025的AI半導體技術概念區設立互動專屬攤位，除由專業團隊介紹品牌理念、關鍵技術與就業機會外，更設計主題遊戲「原子層沉積大師」（Master of Atomic Layering），深入認識ASM的ALD技術如何推動先進製程演進。

ASM臺灣總經理呂秉澄表示，ASM在臺深耕即將邁入20年，團隊規模過去5年來成長超過三倍。臺灣不僅是ASM創新技術的重要前線，更是銷售與在地服務的核心樞紐，持續支援臺灣半導體從2奈米制程邁向埃米級技術節點的關鍵發展。

呂秉澄指出，自2025年初至2026年底，ASM預計將新增超過100個職缺，並預期至2028年前員工數雙位數成長，持續擴大在臺投資，創造更多本地就業機會，誠摯邀請更多優秀人才加入ASM，一同推動全球先進晶片製造邁向新世代。

ASM建立包括海外受訓、外派及跨國輪調等多元培育機制，目前已有逾5成臺灣工程師完成海外訓練，約32％參與美國、韓國、日本等地的國際專案支援，並有近10％正式外派美國及日本，展現臺灣技術人才在ASM全球業務拓展中的關鍵角色與影響力。