鎧俠第九代3D快閃記憶體樣品出貨

鎧俠推出的第九代BiCS FLASH，採用CMOS直接鍵結陣列（CBA）架構，整合鎧俠現有的高效儲存單元技術與先進CMOS製程，實現更高的性能與資本效率。

同時，針對中低容量、高效能、低功耗的應用場景設計，未來將廣泛整合至鎧俠的企業級 SSD解決方案中，協助優化AI系統中的GPU效率。

鎧俠指出，該產品技術亮點包括：採用120層堆疊技術，以第5代BiCS FLASH爲基礎進化；寫入效能提升61％、讀取效能提升12％；電源效率：寫入操作提升36％，讀取操作提升27％。

支援Toggle DDR6.0介面，資料傳輸速度高達 3.6Gb／s，在展示條件下，更可達4.8Gb／s；位密度提高8％，大幅改善每晶圓儲存效益。鎧俠同時正積極研發第十代BiCS FLASH技術，透過增加堆疊層數以實現更大容量與更高性能，以因應未來儲存市場對AI、車用與數據中心等高密度應用的成長需求。