華爲申請一種磁存儲器及寫入方法專利，避免當強自旋軌道耦合層中的SOT電流過大時所導致的誤寫問題

金融界2025年6月7日消息，國家知識產權局信息顯示，華爲技術有限公司;北京航空航天大學申請一項名爲“一種磁存儲器以及寫入方法”的專利，公開號CN120111894A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本申請實施例提供了一種磁存儲器以及寫入方法，用於避免當強自旋軌道耦合層中的SOT電流過大時所導致的誤寫問題。包括：強自旋軌道耦合層與放置於強自旋軌道耦合層上的多個MTJ，多個MTJ中的每個MTJ包括自由層、絕緣層與釘扎層，自由層包括第一磁性層、第二磁性層與間隔層。

本文源自：金融界

作者：情報員