國研院攜手鼎極科技 共同開發提升碳化矽研磨新技術

碳化矽（SiC）爲化合物半導體材料中極具潛力的一員，已取代矽晶圓，成爲車用電源與驅動系統、太陽能光電變流器、充電樁與工業控制設備等核心元件的材料首選。然而，要以碳化矽製作晶圓時，「研磨」這一步驟卻遭遇困境，因爲碳化矽硬度極高，傳統研磨方式在加工效率及品質良率上皆存在瓶頸。

國家實驗研究院國家儀器科技研究中心（國研院國儀中心）與鼎極科技攜手合作，共同開發「紅外線奈秒雷射應用於碳化矽晶圓研磨製程」關鍵技術。此一突破性成果成功提升碳化矽晶圓研磨速率與品質，顯著降低製程成本與材料損耗，有效迴應產業界對於高效率、低損耗製程的迫切需求。

國研院訂下週二（24）日與鼎極科技，共同宣佈利用開發雷射研磨技術，提升碳化矽晶圓製程產能的技術成果，爲臺灣布建碳化矽供應鏈，扮演關鍵推進力量。

圖爲英飛凌正式交貨的8吋碳化矽晶圓。圖／英飛凌提供