高通取得帶有突出部和場板的氮化鎵高電子遷移率晶體管專利

金融界2024年12月14日消息，國家知識產權局信息顯示，高通股份有限公司取得一項名爲“帶有突出部和場板的氮化鎵高電子遷移率晶體管”的專利，授權公告號 CN 112585762 B，申請日期爲2019年6月。

本文源自：金融界

作者：情報員