高盛最新調查曝光　中國晶片製造技術落後西方20年：只能產65奈米

▲中芯國際上海總公司。（圖／CFP）

記者鄒鎮宇／綜合報導

中國半導體設備發展備受關注，根據高盛最新報告，中國的光刻機技術水準目前僅停留在65奈米，與美國及歐洲領先企業相較，落後至少20年。光刻技術是晶片製造中不可或缺的關鍵環節，而荷蘭ASML公司生產的先進設備更是全球高階晶片量產的核心。由於ASML的光刻機大量採用美國原產零組件，美方得以限制這些機器出口至中國，導致中國高階晶片製造能力受限。

據外媒《wccftech》報導，中國科技巨頭華爲因美國政府制裁，無法從臺積電採購晶片，只能依賴中芯國際（SMIC）。但受到美國進一步出口管制，中芯國際無法取得最先進的極紫外光（EUV）光刻機，僅能生產7奈米晶片。業界分析指出，這些晶片大多采用ASML較舊的深紫外光（DUV）設備製造，因中國本土缺乏能自制高階光刻機的能力，而高階光刻機多數關鍵零件來自美國和歐洲。

光刻技術的核心在於能夠將微小電路圖案精確轉印至矽晶圓上，進一步提升晶片效能。ASML的EUV與高數值孔徑（High-NA EUV）光刻機能實現更細緻的電路設計，推動全球晶片技術不斷突破。

根據高盛分析，目前臺積電等全球領先的晶片製造商已能量產3奈米產品，並積極開發2奈米技術。然而，報告強調，ASML從65奈米技術進步到3奈米以下，耗時約20年且投入高達400億美元的研發及資本支出。

高盛指出，依據目前中國本土光刻機產業的技術進度，短期內難以追上西方。報告也直言，光刻設備是中國半導體產業追趕全球領先技術的最大瓶頸，未來要達到與ASML同等水準，至少還需20年時間。