《產業分析》揚博攜手韓廠生產半導體黃光材料 營運添動能(2-1)

過去揚博半導體業務以代理爲主，並於5年前開始鎖定高階先進封裝製程及材料，其中材料部分，包括已提供客戶量產、先進製程封裝Micro Bumping/SnAg與Cu Pillar，並開發Dielectric；應用於半導體前段材料的黃光材料(Lithograph material)亦陸續海內外市場半導體廠測試中；在AI相關設備部分，包括客戶驗證中的2.5D Bonder、終端客戶產品最終驗證中的3D Bonder，以及用於Bonding之前之形貌量測的3D Bonding量測設備等。

看好全球半導體先進製程對高階材料需求日益升高，揚博科技與DCT Material Co.共同成立合資公司，攜手導入具備量產經驗的先進製程材料技術，進一步強化在亞洲市場的產品線深度與客戶服務即時性。

揚博表示，DCT Material長年深耕半導體材料領域，憑藉卓越的研發能量與量產經驗，成功導入多家全球晶圓代工大廠的製程體系，近年更因在Gapfill SOC、ArF 及EUV相關製程產品等技術的突破性成果，入選韓國「高潛力全球專業企業」（Global Leading Company）計劃，展現其在先進製程材料市場的領導地位。

根據兩家公司規劃，合資公司預計導入DCT Material的Low-T SOC與平坦化SOC、Arf 黃光材料與Si-ARC、BARC與Low-n BARC系列及Gapfill SOC等主力產品線，其中「Low-T SOC與平坦化SOC」具備優異的低溫沉積特性與卓越的厚膜控制能力，有效支援先進邏輯與記憶體制程中的介電層平坦化需求，特別適用於高堆疊密度(3D IC)技術；「Arf 黃光材料與Si-ARC」採用先進分子設計，提供高解析度與低缺陷密度，能滿足極紫外光(EUV)微影技術對於線寬控制與圖形轉移的嚴苛要求，並有效提升光刻步驟中的製程良率。

在BARC與Low-n BARC系列部分，「BARC與Low-n BARC系列」具備卓越的反射率抑制效果與低介電常數特性(Low-k），有助於提升微影解析度並減少電容干擾，適用於先進節點製程，強化晶片性能與功耗表現；至於「Gapfill SOC」則是以先進化學機制實現高孔隙率與低殘留應力，具備出色的縫隙填補能力，特別針對超大型積體電路（ULSI）製程需求設計，提升晶片可靠度並支援更細微線寬的製程演進。

揚博表示，DCT Material的產品不僅符合先進製程的高規格要求，更以優異的可靠性、良率表現和成本競爭力，成爲全球主要晶圓代工客戶的指定供應商，積極佈局未來2奈米以下製程技術需求，持續推動半導體產業技術升級，未來合資公司將依計劃於臺灣建置在地製造與應用技術支援據點，並於後續設立研發中心，致力於新材料技術的在地化導入與創新研發，預期將大幅提升對臺灣及亞洲半導體客戶的服務能量，並加速新世代製程材料的本地化供應佈局。

藉由此次策略合作，揚博科技將拓展產品線至中高階先進製程材料領域，並建立在地快速反應的服務機制，強化與臺灣及亞洲主要晶圓客戶的合作深度，搭配DCT Material的技術優勢與本公司的市場營運資源，共同創造長期營收成長動能，搶佔全球半導體材料市場，爲營運添動能。