《半導體》漢磊H1營運落底 H2估顯著好轉

漢磊2025年上半年合併營收26.62億元、年減9.43%,爲近8年同期低,歸屬母公司稅後虧損3.9億元、虧損年增達83.75%,每股虧損1.02元,毛利率負4.9%、營益率負17.41%,均創同期新低。

觀察漢磊上半年各應用概況,工業用自44%降至42%、消費性電子自21%升至30%,車用自28%降至22%,綠能自7%略降至6%。以平臺觀察,化合物自49%降至41%,TVS自17%升至25%,ATV MOSFET自14%升至19%,其他自17%降至14%,FRD爲1%。

漢磊總經理劉燦文表示,上半年營運仍持續面臨嚴峻挑戰,但營收虧損幅度已見收斂。整體虧損擴大,主要仍受稼動率下滑及折舊攤提大幅增加影響,若排除折舊因素影響,則毛利率僅略減個位數百分比。

其中,上半年碳化矽(SiC)營收年減33%,主因太陽能及車用需求疲弱、中國大陸價格競爭加劇,但衰退幅度已見趨緩。氮化鎵(GaN)營收年增約11%,主要受惠AI伺服器、人型機器人等新應用導入。矽基半導體營收年增8%,主因PC帶動消費性電子需求回溫。

展望後市,劉燦文指出,由於終端市場價格下滑甚多,使客戶上半年備貨非常保守、幾乎採取零庫存策略,目前備貨相對積極得多,預期營運已在上半年落底,下半年營運將較上半年顯著好轉,預期可望成長10~20%,以化合物半導體代工成長動能較強。

其中,隨着客戶已開始較積極備貨,SiC下半年表現可望回溫、應有雙位數成長,矽基半導體客戶對下半年及明年需求仍維持樂觀,預期表現將略優於上半年。至於GaN仍受關稅因素影響,客戶對未來需求續趨守觀望,下半年動能仍具不確定性。

針對市場價格趨勢,劉燦文表示,SiC供應鏈價格續降,與IGBT的價差已由原本的2~3倍縮小至1.2~1.5倍,成本效益大幅改善,價格已到甜蜜點、甚至有超跌跡象,使客戶系統端已開始積極導入,儘管轉換仍需要時間,但市場滲透率預期將加速提升。

漢磊董事長徐建華指出,公司中國大陸客戶以IC設計爲主,其他地區客戶則多爲IDM,後者所需的認證時間較長,預期自下半年起進入量產的訂單量將持續增加。劉燦文預期,2026年仍以化合物半導體爲成長主力,估維持雙位數成長動能,矽基半導體則預期持平略降。

應用領域部分,徐建華表示,客戶正擴展至家電、工業設備及伺服器,其中AI數據中心用電需求急增,業界規畫導入800V高壓直流(HVDC)架構,將大幅帶動SiC與GaN功率元件需求,漢磊將積極與客戶合作加速導入驗證,預估最快有望在明年下半年開始有所貢獻。