《半導體》力積電Q3邏輯產線能見度不高 DRAM代工價量俱揚

朱憲國表示，邏輯產品線上半年投片受客戶因應關稅不確定性提前投片、中國大陸補貼政策刺激消費2因素帶動，近期投片有所降溫，第二季投片微幅減少1％。由於客戶態度較保守，目前第三季能見度不高，還要再觀察。

以應用面觀察，朱憲國指出，近期大中華區的驅動IC及CMOS影像感測器（CIS）投片需求相對較弱，但歐美區的電源管理晶片（PMIC）、特別是AI相關部分需求續強，一增一減下抵銷相關影響。

不過，DRAM代工需求因一線大廠宣佈退出8G DDR4市場，促使客戶提前拉貨，使整體需求反轉向上。朱憲國表示，力積電近期DRAM代工投片已近滿載，平均售價（ASP）自6月起有逐月拉高趨勢，相關效益因生產週期因素，會在3～4個月後反應在營收及毛利上。

單層式快閃記憶體（SLC Flash）方面，歷經數季的需求疲弱，終端客戶庫存去化良好，備貨意願相對較高，力積電的24奈米SLC Flash已正式進入量產，由於主流廠商有計劃幾年內逐漸退出SLC Flash市場，使公司客戶的設計導入狀況相當踊躍，持續進行中。

中介層（Interposer）方面，力積電目前以CoWoS-S爲主，CoWoS-L也提供客戶設計導入。朱憲國指出，此產線充分利用DRAM前段製程的矽電容及邏輯後段製程的銅產線，對未來取代部分毛利較低的DRAM及邏輯產品會有很大幫助。

而DRAM四層晶圓堆疊（WoW）技術搭配友廠先進邏輯製程晶片的驗證順利進行，八層WoW技術配合客戶開發中，連同中介層將成爲3D AI晶圓代工的主要獲利來源。朱憲國表示，董事會日前已通過擴產中介層的資本支出提案，今明2年對毛利的貢獻將逐步浮現。

8吋氮化鎵（GaN）方面，朱憲國表示，應用在AI伺服器的100V技術平臺開發已近完成，首批客戶送樣中，預期第四季開始試產。650V則因友廠退出氮化鎵代工市場，隨着氮化鎵大廠納微半導體（Navitas）宣佈消息後，引起市場廣泛注意。

朱憲國表示，近來美國及日本客戶對力積電的氮化鎵代工詢問度明顯提升，公司配合市場及客戶需求，將對氮化鎵產線進一步增加機臺以擴大產能，未來氮化鎵在8吋晶圓的貢獻會越來越大。