《半導體》IET-KY美廠擴建估7月動工 資本支出獲德州補助412萬美元

IET-KY今(25)日召開股東會，IET-KY 113年營收爲7.17億元，年增8.31%、營業毛利1.13億元，年減27.1%，合併毛利率15.82%，稅後淨損1.32億元，每股淨損爲3.58元，IET-KY表示，113年虧損系因公司發行可轉換公司債，隨之前股價上升認列有評價損失約EPS -1.2元，其餘部分系因產品營收未追上設備、人力投入時程，震盪期過後當有明顯改善；由於113年盈虧撥補，故不配發股利。

就各產品來看，IET-KY董事長高永中表示，113年營收成長主要來自磷化銦（InP）磊晶產品於年底需求放量，帶動整體業績上揚，今年第1季營收磷化銦磊晶產品佔比亦超過5成，其中的PIN(即PD)應用於資料中心的100G光模組接收端，受惠於AI運算需求成長，磷化銦磊晶產品預期會是公司未來數年的主力。

IET-KY 114年第1季合併營收2.7億元，年增逾4成，稅後淨損爲5971萬元，每股淨損爲1.54元，目前可轉換公司債已於4月完成股票轉換，後續財報影響甚微。

在美國新廠二期擴建部分，IET-KY表示，第2季正進行細項藍圖設計和相關營造許可的審覈，預計7月動工，26年度完工，機臺產能於未來數年陸續啓動；相關資本支出有部分來自美國聯邦晶片法案及德州晶片法案補助，目前已獲德州補助額度412萬美元，將隨建廠進度每季請款，聯邦補助案則尚待主管機關查覈。

展望2025年，IET-KY表示，英特磊將以磷化銦磊晶產品作爲成長主軸，除了資料中心PD，可應用於光模組之驅動電路的HBT，以及特定情形下的光模組接收端的APD等產品也隨運算需求有成長。砷化鎵（GaAs）pHEMT產品的主要客戶爲歐美日大廠，目前需求穩定；因應AI資料中心需求成長，產品線研發重心100G以上的高速VCSEL，期望在AI互連線路的AOC(active optical cable，主動式光纜）市場佔得一席之地。

在銻化鎵(GaSb)紅外磊晶晶片因美國與國際國防需求擴大，目前產能已近滿載，計劃於今年下半年或明年增設新機臺，預計可增加3成產能。

在硬體構件方面，因氮化鎵（GaN）二次長晶需求提升，公司將進一步擴展與臺灣客戶的合作模式；氮化鎵長晶業務亦持續成長，規劃於未來提供臺灣在地製程，提升營運彈性。