《半導體》IET-KY 首季每股虧1.54元 Q3衝產能

IET-KY 114年第1季營收爲2.7億元，年增43.19%，合併毛利率34.68%、稅後淨損0.6億元、每股淨損1.54元，其中磷化銦(InP)第1季營收佔比超過5成，砷化鎵(GaAs)爲另一主要產品線，營收佔比2成5以上， 銻化鎵(GaSb)產品方面，營收佔比近2成。

IET-KY表示，第一季因公司股價漲幅增加，致可轉換CB評價依公允市價評估負債而認列損失，屬營業外會計項目，本業雖獲利，但CB評價金額較大而產生淨損，CB在第一季幾乎已轉換完畢，並已在4月下櫃。

就各產品線來看，磷化銦(InP)應用之一是資料中心的100G光模組接收端的PIN PD，受惠於AI運算需求成長，有明顯增長，據客戶反饋，公司以MBE技術生產的200G PD有關鍵優勢，隨着高速傳輸需求逐步增加，未來相關營收成長可期，其他如可應用於光模組之驅動電路的HBT，以及特定情形下的光模組接收端的APD等InP產品也隨運算需求有成長。

砷化鎵(GaAs)爲IET-KY另一主要產品線，其終端應用包含射頻相關、汽車防撞雷達及國防應用，客戶爲歐美大廠，目前需求穩定；因應AI需求成長，公司將研發重心放在可應用於資料中心100G以上光模組發射端的VCSEL，期望在AI運算的AOC(active optical cable，主動式光纜)市場佔得一席之地。

銻化鎵(GaSb)產品方面，終端應用在國土保全、夜視系統等紅外探測裝置，成長動能來自於美國和其他國家之國防訂單，美國國防相關銻化鎵紅外磊晶片需求持續成長，其他國家客戶的銻化鎵磊晶片需求亦同步增加；由於銻化鎵(GaSb)產品毛利率較高，目前相關產能已接近滿載，公司計劃於今年下半年或明年啓動下一部機臺因應日益增長的訂單需求，預計可增加3成產能，高毛利產品出貨增加，有利公司產品組合優化。

在氮化鎵(GaN)產品線部分，IET-KY特殊的二次磊晶技術可提升GaN產品應用於高頻高電壓元件以及AI資料庫伺服器內功率轉換元件，客戶反應熱烈，目前配合市場需求，規劃在臺灣設置機臺，縮短客戶生產週期，公司除了生產磊晶片，亦有機臺業務，因自制硬體零組件技術成熟，自行發展之機臺除供應新廠陸續擴充產能外，也有生產部分機臺關鍵零件銷售予長期合作伙伴，營收佔比逐漸提高。