ASML秀新技術 2030年晶片產量激增五成 臺積電吞大力丸

臺積電昨天股價收1,965元，創收盤天價。記者杜建重／攝影

全球半導體微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）端出重磅新技術，能在2030年前讓晶片產量較現階段增加五成。業界看好，艾司摩爾新技術將讓臺積電（2330）吞下「大力丸」，未來產出量將大增且有助降低成本，推升臺積電獲利可期。

艾司摩爾新技術助威，臺積電未來晶圓代工龍頭地位將更穩固，市場買盤昨（24）日簇擁臺積電，推升股價一度衝上1,975元天價，市值飆破51兆元，終場收1,965元，創收盤歷史新高價，大漲65元，市值也登上50.96兆元新紀錄。

臺股昨天勁揚927點，光是臺積電一檔就貢獻漲點逾500點，成爲大盤多頭總司令，蓄勢叩關35,000點。外資昨天買超臺積電6,887張，終止連二賣。

艾司摩爾表示，已找到方法強化晶片製造設備的光源功率，能讓晶片產量到2030年最多增加五成。

艾司摩爾是透過將極紫外光（EUV）微影設備的光源功率，從現今的600瓦特提高至1,000瓦特，達成上述目標，這項新技術最大好處是光源功率愈強，每小時能生產更多晶片，有助降低每顆晶片的成本。

晶片印製方法類似相片，用EUV光線照在塗有光阻劑的矽晶圓上。EUV光源功率愈強，晶片曝光時間愈短。

艾司摩爾EUV機器NXE產線執行副總裁範谷（Teun Ｖan Gogh）表示，到2030年時，每臺機器每小時應該能處理約330片矽晶圓，高於現在的220片，相當於產量提高五成。

爲產生波長13.5奈米的光，艾司摩爾的機器會把一束融化錫滴射過一個腔體，由高功率的二氧化碳雷射加熱爲電漿，在錫滴的超熱狀態物質型態下，溫度會高於太陽，並且射出極紫外光，並由德國蔡司供應的精準光學設備蒐集後，導入機器印製晶片。艾司摩爾的最新進步爲提高錫滴數量一倍至每秒約10萬個，並用兩組更小的雷射脈衝形塑爲電漿，而非目前的單一形塑脈衝。

艾司摩爾是臺積電重要夥伴，日前釋出上季財報與展望均優於預期，並調高2026年全年展望，預告今年會是成長的一年，在手訂單創新高。

艾司摩爾生產的EUV微影設備，是半導體先進製程必備的機臺，臺積電也是目前EUV量產設備保有數量與規模最大的廠商。法人認爲，艾司摩爾報喜，透露AI需求強勁帶旺半導體先進製程需求大好，臺積電營運持續看旺。