英特爾攜手軟銀，打造AI數據中心的高效HBM替代方案

美國芯片巨頭英特爾與日本科技和投資巨頭軟銀合作，開發一種用於高帶寬內存（HBM）的堆疊DRAM替代品。根據日經亞洲的報道，這兩家行業巨頭成立了Saimemory，旨在基於英特爾的技術以及來自日本學術界（如東京大學）的專利來構建原型。該公司計劃在2027年前完成原型，並對大規模生產的可行性進行評估，最終目標是在本世紀末之前實現商業化。

大多數AI處理器使用HBM或高帶寬內存芯片，這些芯片非常適合臨時存儲AI GPU處理的海量數據。然而，這些集成電路的製造複雜且相對昂貴。此外，它們很快會發熱，並且需要相對更多的電力。此次合作的目標是通過堆疊DRAM芯片，並找到更高效的連接方式來解決這個問題。這樣一來，堆疊DRAM芯片的功耗相比於類似的HBM芯片減少了一半。

如果成功，軟銀表示希望在這些芯片的供應中獲得優先權利。目前，只有三家公司生產最新的 HBM 芯片：三星、SK 海力士和美光。對 AI 芯片的需求非常旺盛，這意味着 HBM 的供應可能會很緊張，因此，Saimemory 希望通過其替代品在市場上佔據主導地位，至少在日本的數據中心中。這也是日本時隔超過 20 年首次希望成爲主要的內存芯片供應商。日本公司曾在 1980 年代主導市場，當時他們的生產佔全球供應的約 70%。不過，韓國和臺灣的競爭對手崛起，導致許多日本的內存芯片製造商被擠出了市場。

這並不是半導體公司第一次嘗試3D堆疊DRAM。三星早在去年就已宣佈了3D和堆疊DRAM的計劃，而另一家公司NEO Semiconductor也在開發3D X-DRAM。不過，這些計劃主要是爲了擴大每個芯片的容量，內存模塊的目標容量達到512GB。另一方面，Saimemory的目標是降低功耗——這是數據中心非常需要的，尤其是隨着AI的功耗每年都在增加。