英諾賽科稱年底將擴產8英寸GaN至2萬片/月

8日，第一財經從國內氮化鎵（GaN）龍頭企業英諾賽科（02577.HK）處確認，公司將進一步提升8英寸（200nm）產能，預計年底將從1.3萬片/月擴產至2萬片/月。此前公司表示，要在未來五年內提升到7萬片/月。

英諾賽科是實現大規模量產8英寸晶圓的氮化鎵集成器件製造商（IDM），產品覆蓋晶圓製造、分立器件、智能氮化鎵IC、驅動控制芯片和氮化鎵功率模塊。目前氮化鎵（GaN）在充電器或者其他消費電子產品裡的佔比越來越高。憑藉高效能和小體積，也在電池的雙向電能轉換、光伏的光儲互補、數據中心功率密度提升領域發揮重要作用，有望成爲替代硅的重要材料。

英諾賽科透露擴產的時間點恰逢臺積電退出氮化鎵代工業務，英飛凌不久前也剛高調宣佈在300mm晶圓上的可擴展GaN生產已步入正軌，首批樣品將於2025年第四季度向客戶提供。現有的知名功率半導體企業不願錯過這樣快速增長的市場是對氮化鎵未來發展的認可，但在工程可實現方面，顯然存在分歧。

根據Yole Group的預測，到2030年，GaN在功率應用領域的收入將以每年36%的速度增長，達到約25億美元。

相較於8英寸晶圓，12英寸晶圓的芯片產出數增加了2.3倍，要維持穩定的良率並不容易，樣品與具備成本效益的穩定量產之間，仍有漫長的工程優化之路要走。

“送樣之後是不是準備量產？如果準備量產，第一個問題應該問MOCVD設備是誰家的？這個世界上還沒有可以量產12寸MOCVD，沒有產業化的設備。”英諾賽科強調，公司將聚焦8英寸產線工程化的成熟度，再逐步推進12英寸產線，不會追逐概念性技術。對於12英寸技術投向市場，英諾賽科預計到2030年才能實現商業化。

“公司產品在持續迭代，未來幾年內將通過產能提升和產品迭代，在性能和成本上對傳統硅功率半導體形成顯著優勢。這種技術進步能爲客戶帶來高達40%的性能提升和30%的收益。”英諾賽科認爲，這不僅與產能提升相關，也意味着需要陪伴客戶3-5年的時間才能看到成果。