新型晶體存儲，每平方毫米可存數太字節數據!

本月早些時候，芝加哥大學普利茲克分子工程學院的研究人員展示了一種技術，該技術能夠利用原子大小的晶體缺陷來表示1和0，能讓僅一毫米大小的小立方體材料內實現數太字節數據的超高密度存儲，按照接受《歐洲能源新聞》（EENewsEurope）採訪時的說法。

這一說法來自芝加哥大學普利茲克分子工程學院（UChicago PME）助理教授兼實驗室負責人田仲（Tian Zhong），他還解釋說：“在那個毫米立方體中（我們在其中將帶電的原子的缺陷間隙設爲‘1’，不帶電的間隙設爲‘0’），我們證明了基於原子的這種存儲（經典存儲、傳統存儲）大約至少有10億個。”

博士後研究員、原論文的第一署名作者萊昂納多·弗蘭薩（Leonardo França）在解釋這一切如何運作的一些更細微的細節時表示：“我們找到了一種方法，將應用於輻射劑量測定的固態物理學與一個在量子方面深入開展工作的研究小組相結合，儘管我們的工作不完全屬於量子範疇。有對研究量子系統的人員的需求，但同時，也有提高經典非易失性存儲器存儲容量的需求。我們的工作正是紮根於量子和光學數據存儲之間的這個交叉領域。”

換句話說，這項工作源於兩個關鍵來源。首先是現有的輻射劑量計，這些劑量計用於測量人們在醫院和粒子加速器中受到的輻射量。其次，現有的關於存儲量子比特（而非傳統比特）的量子存儲研究已經發現晶體缺陷可用於製造量子比特。然而，其中的方法往往不涉及對這些缺陷施加電荷。

之前我們也報道過一些在非常規介質上進行高密度存儲的其他成果。與這個報道最相關的肯定是“5D存儲晶體”，它宣稱能在5英寸見方的空間內實現360太字節的存儲量……但是考慮到1立方毫米內的數量至少有2 - 3太字節，而5英寸大約是127個1立方毫米……看起來這些存儲晶體就算不比那些更好，也差不了多少。遺憾的是，沒有確切給出單個1立方毫米晶體能存儲多少“太字節”。