先進封裝技術解讀 | 三星

導 讀

集成電路產業通常被分爲芯片設計、芯片製造、封裝測試三大領域。其中，芯片製造是集成電路產業門檻最高的行業，目前在高端芯片的製造上也只剩下臺積電（TSMC）、三星（SAMSUNG）和英特爾（Intel）三家了。隨着先進封裝技術的發展，芯片製造和封裝測試逐漸融合，我們發現，在先進封裝領域的高端玩家，竟然也是臺積電、三星、英特爾三家，而傳統的封測廠商，已經被他們遠遠地拋在身後。那麼，這三家的先進封裝到底有什麼獨到之處呢？他們爲何能超越傳統封測廠商，引領先進封裝？本公衆號通過三期文章來解讀三家的先進封裝技術。前兩期文章，我們分別解讀了臺積電和英特爾的先進封裝技術。今天，我們詳細解讀 三星的先進封裝技術。

在高端芯片製造領域，三星一直試圖與臺積電一爭高下，率先採用GAA全環繞柵極等最新技術，可惜在良率方面一直被臺積電力壓一頭。

在先進封裝領域，與臺積電和英特爾相比，三星的存在感稍低，在我的印象中，除了FoPLP是三星首創之外，更多的時候，三星是作爲一個跟隨者存在。

在半導體領域，首先提出技術的未必能笑到最後，在持久戰中能堅持到最後並勝出的往往不是前浪而是後浪。正如三星曾經是HBM的首創和領導者，如今卻被競爭對手超越並在競爭中處於下風。

今天，我們一起來解讀三星的先進封裝技術。

三星的先進封裝技術主要分爲兩大類：屬於2.5D封裝的I-Cube和屬於3DIC 的X-Cube。爲了更加容易理解三星先進封裝技術的結構和特點，我們可以將其和臺積電，英特爾的先進封裝技術進行對比。I-Cube首先分爲 I-Cube S和I-Cube E，其中S代表Silicon Interposer, E代表Embedded Silicon Bridge.

I-Cube S