頭一遭 陸擬設 EUV 光阻劑標準

大陸國家標準委網站近日顯示，大陸首個EUV光阻劑標準《極紫外（EUV）光阻劑測試方法》作爲擬立項標準。其將成陸首個EUV光阻劑標準，該標準制定不僅能夠填補大陸在該領域技術標準空白，同時通過建立統一的測試方法體系，爲大陸國內外EUV光阻劑的性能評價提供客觀標尺。

外界認爲或是突破日本在半導體材料長期壟斷格局的關鍵一子。

大陸國家標準委網站顯示，該標準公示截止時間爲11月22日。

標準的起草單位包括上海大學、張江國家實驗室、上海華力集成電路、上海微電子裝備（集團）。

證券時報報導，標準實施後將實現三大目標：一是推動測試數據互認，降低晶圓廠對國產材料的導入風險；二是促進測試設備國產化替代，有效壓縮研發成本；三是加速實現從「進口依賴」到「自主可控」的產業躍遷。

EUV光阻劑是極紫外曝光機的關鍵材料，工作波長爲13.5奈米，主要應用於7奈米及以下製程的集成電路製造，是實現先進邏輯晶片、高端存儲晶片等微小化、高性能晶片生產的不可或缺的材料。

目前EUV光阻劑主要被日本先進半導體材料公司所壟斷，比如JSR、東京應化等公司佔據超過95%全球球市佔，大陸這部分國產化率爲零，且其國內研發也仍處於起步階段。

此外，大陸國內在EUV光阻劑測試領域尚未建立統一的技術規範，現有測試方法多沿用國外企業標準，導致在靈敏度（E0）、線邊緣粗糙度（LER）等核心性能指標的檢測流程上缺乏標準化。