臺英簽署半導體培力 MOU 強化化合物半導體與量子技術合作

我國駐英國代表姚金祥大使與英國在臺辦事處代表包瓊鬱（Ruth Bradley-Jones），在外交部政務次長吳志中及英國創新科技部國家科技顧問史密斯博士（Dr. Dave Smith）的共同見證下，於2025年9月11日在外交部分別透過視訊與實體方式簽署「臺英半導體聯合培力計劃瞭解備忘錄」（Taiwan-UK Memorandum of Understanding on the Semiconductor Joint Skills Project），展現臺英在半導體人才培育與交流上的共同願景。

吳志中致詞指出，英國創新科技部今年第3度率團來臺參加臺灣國際半導體展，雙邊在相關領域互動頻繁，如今進一步推動政府間人才交流合作，並完成了解備忘錄簽署。基於臺英在半導體產業的互補優勢，此舉對雙邊關係別具里程碑意義。我國駐英代表姚金祥大使則表示，臺英今年6月方纔在「提升貿易伙伴關係」（ETP）架構下籤署3項支柱協議，現再透過新備忘錄延續合作動能，建立雙邊半導體學子互訪交流機制，將有助於強化經濟、民主及供應鏈韌性。

史密斯致詞強調，全球正面臨科技人才短缺，樂見臺英深化連結、共創價值。臺灣具備堅實製造能力，英國則在創新研發領域佔優勢，雙方未來可於化合物半導體、矽光子及量子技術等前瞻領域拓展合作。

此外，包瓊鬱也指出，本計劃爲臺灣與歐洲國家在半導體人才培育方面簽署的首份備忘錄，將造福雙方學子與產業。她引用「十年樹木，百年樹人」之語，期許臺英攜手共築科技未來。

外交部表示，秉持賴清德總統所提出的「全球半導體民主供應鏈夥伴倡議」，我國將藉由本項瞭解備忘錄，結合國內相關機關推動臺英科技合作，共同建構以價值爲核心的科技韌性供應鏈，積極落實「總合外交」理念。

簽署儀式另邀集經濟部、國家科學及技術委員會、國家實驗研究院、國際半導體產業協會（SEMI）、國立臺灣大學、國立陽明交通大學、國立成功大學、國立中山大學、英國創新局及英國國家物理實驗室等代表出席，共同見證盛會。