臺英簽署半導體聯合培力計畫瞭解備忘錄 深化交流

臺英簽署半導體聯合培力計劃瞭解備忘錄。 路透

外交部今天指出，駐英國代表姚金祥和英國駐臺代表包瓊鬱昨天在外交部，分別以視訊及實體方式簽署「臺英半導體聯合培力計劃瞭解備忘錄」，彰顯臺英對半導體人才培育及交流的共同願景。

外交部今天發新聞稿指出，姚金祥與包瓊鬱（RuthBradley-Jones）昨天在外交部政務次長吳志中及英國創新科技部國家科技顧問、博士史密斯（Dr. DaveSmith）的見證下，分別以視訊及實體方式簽署簽署「臺英半導體聯合培力計劃瞭解備忘錄」（Taiwan-UK Memorandum of Understanding on the SemiconductorJoint Skills Project）。

吳志中表示，英國創新科技部今年第3度率團來臺參加臺灣國際半導體展，雙邊相關領域互動密切，現在進一步就科技人才的交流培育進行政府間合作並簽署瞭解備忘錄，基於臺英在半導體產業的互補優勢，此一發展對雙邊關係深具里程碑意義。

姚金祥指出，臺英繼今年6月在「提升貿易伙伴關係」（ETP）架構下，簽署3項支柱協議後，再透過了解備忘錄持續推升既有豐沛的合作動能，建立雙邊半導體領域學子的互訪交流機制，有助於提升雙邊經濟、民主及半導體供應鏈韌性。

史密斯致詞表示，全球正面臨科技人才短缺，樂見臺英深化人才連結並創造共同價值，臺灣具有強大科技製造能力，與英國創新研發優勢互補，未來可就化合物半導體、矽光子及量子技術等前瞻領域持續提升合作。

包瓊鬱強調，此計劃是臺灣與歐洲國家就半導體人才培育簽署備忘錄的首例，將嘉惠雙方學子及產業，所謂「十年樹木，百年樹人」，期許臺英攜手共築科技未來。

外交部說明，外交部秉承總統賴清德所提出的「全球半導體民主供應鏈夥伴倡議」方針，透過了解備忘錄與國內相關機關合力推動臺英科技實質合作，共同建構以價值爲基礎的科技韌性供應鏈，積極落實「總合外交」的理念。

外交部指出，簽署儀式另有經濟部、國家科學及技術委員會、國家實驗研究院、國際半導體產業協會（SEMI）、國立臺灣大學、國立陽明交通大學、國立成功大學、國立中山大學、英國創新局及英國國家物理實驗室等代表出席見證。