態金材料科技結盟成大打造SiC中介層關鍵技術　為臺灣半導體開啟新局

隨着輝達（NVIDIA）Rubin新一代處理器計劃傳出將矽中介層材料升級爲碳化矽（SiC），全球半導體材料技術再掀革命。態金材料科技攜手成功大學半導體學院，啓動一項大型政府合作計劃，積極開發具國際競爭力的SiC中介層與AlN陶瓷基板製程，成功爲臺灣高階半導體材料領域點燃新曙光。

態金材料科技研發長陳冠維博士指出，全球功率半導體正值市場洗牌關鍵期，尤其電動車、高效能運算（HPC）、再生能源等領域對材料要求日趨嚴苛，而現行技術在碳化矽晶圓與陶瓷基板的加工效率與成本控制方面，始終是難以突破的瓶頸。

態金目前可將6吋與8吋碳化矽晶圓減薄至100微米以下，且同時完成微鑽孔與微溝槽加工，過程中幾乎不產生次表層損傷，遠優於目前化學機械研磨與蝕刻方式。 態金材料科技/提供

所開發的『雷射輔助微粒子珠擊』專利製程，就是要讓SiC與AlN材料的加工，從幾十小時縮短至數分鐘，同時解決傳統雷射加工中的熱裂紋、塞孔與熔渣問題，真正做到低損傷、高效率、低成本，這是目前市場上極爲稀有的技術突破。」陳博士強調。

技術團隊表示，態金目前可將6吋與8吋碳化矽晶圓減薄至100微米以下，且同時完成微鑽孔與微溝槽加工，過程中幾乎不產生次表層損傷，遠優於目前化學機械研磨與蝕刻方式，能顯著降低封裝損耗與加工不良率，這項技術未來可望應用於IC封裝製程中的中介層、再分佈層，甚至有潛力取代高階ABF載板，提升高效能晶片的散熱與穩定性。

這項創新，也獲得成大半導體學院與多家國內設備廠商關注，正同步推動設備模組化開發與示範產線建置，擬打造「從材料到設備」一條龍的SiC中介層自主供應鏈，擺脫對海外製程設備與技術的高度依賴。

在當前全球碳化矽供應鏈被少數大廠壟斷的情況下，態金材料的突破無疑爲臺灣開啓新局，也讓臺廠在面對中國激烈價格競爭壓力下，擁有更明確的技術區隔與產業話語權。

陳冠維博士指出：「這不只是材料或製程上的創新，而是一種全新的產業策略。我們的技術不僅解決加工效率與品質問題，更進一步爲臺灣半導體在未來高功率、高頻率、高熱負載的應用場景中，提供最關鍵的中介層支撐。」

隨着AI、高速運算、伺服器、電動車等應用蓬勃發展，全球半導體產業鏈對碳化矽等寬能隙材料的需求將持續爆發。

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