臺積電2奈米擴產啓動 外媒揭成功關鍵

臺積電3月31日舉行高雄廠2奈米擴產及P2廠上樑典禮，再次宣示其根留臺灣的堅定決心。（資料照／柯宗緯攝）

臺積電Fab 22（晶圓二十二廠）2奈米廠預計下半年量產，臺積電共同營運長暨執行副總秦永沛日前指出，高雄廠先期投資金額逾1.5兆元，規劃五期（Phase）超大規模晶圓廠，完工後將成爲全球最大半導體制造聚落。外媒表示，臺積電2奈米的缺陷減少率與先前基於 FinFET（鰭式場效電晶體）的製程技術保持一致的事實是關鍵，顯示臺積電成功將其製程學習和缺陷管理專業知識，轉移到新的 GAAFET（環繞閘極電晶體），且未遇到重大挫折。

臺積電3月31日於高雄Fab 22基地舉行2奈米擴產典禮，秦永沛指出，2奈米是業界最先進的邏輯製程技術，每期潔淨室面積爲標準型晶圓廠之2倍規模，總面積相當46座足球場，臺積電並與主管機關密切討論、找尋更多廠房用地，續擴臺灣投資；秦表示，高雄廠先期投資金額逾1.5兆元，規劃五期（Phase）超大規模晶圓廠，完工後將成爲全球最大半導體制造聚落。

另外，臺積電於美西時間23日舉行2025年北美技術論壇中，正式發表突破性先進邏輯製程技術「A14」，並計劃於2028年開始生產；奠基於領先業界之N2製程，A14（14埃）目前開發進展順利，良率表現更優於預期，將爲人工智慧（AI）轉型與智慧裝置效能開創新里程碑。

據科技網站Tom's Hardware報導，臺積電在北美技術研討會上指出，其2奈米制程技術的缺陷密度（defect density，D0）明顯低於同時期的3奈米、5奈米和7奈米制程；2奈米制程的缺陷減少率與之前的FinFET節點相符，顯示出臺積電在製程學習和缺陷管理方面的專業知識，成功過渡到新的GAAFET時代，且過程中未遭遇任何重大挫折。