三星追臺積 南韓政府扮神隊友 助廠商降低成本

三星要用最強設備生產次世代晶片，搭配政府關稅政策強力奧援，與臺積電的新一波戰火更加火熱。路透

三星緊追臺積電（2330），不僅導入首臺高階高數值孔徑極紫外光機臺（High-NA EUV）EXE:5000，將用於1.4奈米生產；南韓政府也傾國家之力協助，規劃明年把製造半導體晶圓的主要進口材料關稅降至零，有助降低三星成本，強化競爭力。

業界認爲，三星要用最強設備生產次世代晶片，搭配政府關稅政策強力奧援，與臺積電的新一波戰火更加火熱。

三星緊追臺積電

分析師指出，三星半導體事業近期壓力甚大，該公司高頻寬記憶體（HBM）發展腳步落後SK海力士，截至今年第2季，已連續兩季讓出蟬聯多年的全球DRAM霸主寶座給SK海力士。

另一方面，根據研調機構集邦科技（TrendForce）最新統計，三星今年第2季雖仍居全球晶圓代工二哥，但與龍頭臺積電市佔差距擴大至62.9個百分點，爲歷來最大。三星丟失DRAM一哥寶座，與臺積電晶圓代工市佔差距又是史上最大，對這家南韓科技業巨頭而言可謂「不好看」，因此積極追趕拚翻盤。

韓媒The Financial News與The Bell報導，三星強攻先進製程，旗下華城晶圓廠今年3月已引進首臺High NA EUV微影設備EXE:5000，正評估用於1.4奈米制程的晶圓代工生產，希望2027年量產1.4奈米制程晶片，緊追臺積電。

與此同時，SK海力士也宣稱，旗下南韓利川的M16晶圓廠已組裝High NA EUV微影設備，率產業界之先，以艾司摩爾（ASML）的EXE:5200B機臺進行量產。SK海力士計劃簡化現行EUV製程，加速新一代記憶體開發，以提升產品效能和成本競爭力。

三星內部要靠提升設備精進先進製程發展之餘，南韓政府也出面相挺，透過降低關鍵耗材進口關稅至零，協助南韓半導體廠降低成本，提升競爭力。

BusinessKorea引述根據相關部會2日的消息報導指出，南韓產業通商資源部計劃與負責主管稅務的企劃財政部協商，針對包括坩堝、碳基複合材料與磨輪等八類晶圓製造設備的材料，討論適用的配額關稅。這項決定將租稅優惠範圍擴大至晶圓材料，而不僅限於已享配額關稅的石英玻璃基板。

由於半導體制程相當複雜，各階段都需大量材料。南韓政府這回特別決定降低關稅負擔的對象，是用於晶圓製程中晶棒（ingot）研磨或清洗的相關材料。

南韓政府推動調降半導體材料關稅，預料將大幅減輕半導體業者的負擔。業界估計，降稅效益將達數千億韓元。