日媒:韓國加速推進半導體設備國產化
參考消息網7月27日報道 據《日本經濟新聞》網站7月25日報道,韓國正加速推進半導體制造設備國產化。LG電子已於7月宣佈進軍在尖端半導體生產不可或缺的關鍵設備領域,設備巨頭韓美半導體也計劃於2026年啓用新工廠。目前,全球半導體設備市場由美歐日企業主導,韓國份額僅佔2%。韓國正藉助其優勢領域——生成式人工智能(AI)半導體產品的需求增長,發力該領域特製化設備,以尋求突破。
LG將着手開發新一代“混合鍵合機”,這是連接半導體晶圓的關鍵設備“鍵合機”的升級產品。對於以家電和顯示器爲主營業務的LG而言,其半導體設備業務此前基本停留在研發階段。據韓國媒體報道,該公司研究人員日前在首爾郊區一場半導體展會上宣佈,計劃於2028年前完成“混合鍵合機”的研發。該報道還評價稱,LG有望成爲“半導體設備市場的潛在黑馬”。
LG進軍半導體設備製造領域的一個重要契機,是高帶寬內存(HBM)市場在生成式AI浪潮下的持續擴張。HBM領域是韓國企業的強項,SK海力士和三星電子合計佔據全球約90%的市場份額。法國約爾情報公司預測,到2030年,全球HBM銷售額有望達到約980億美元,約爲2025年的3倍。
HBM需要通過垂直堆疊內存芯片來製造。在此過程中,用於連接這些芯片的設備正是混合鍵合機。在半導體制造流程中,這屬於晶圓刻蝕電路後的“後道工序”。隨着堆疊多芯片以提升性能的技術不斷髮展,後道工序的重要性日益凸顯。相比東京電子等技術巨頭壟斷的“前道工序”,這一領域爲韓國等後來者提供了趕超機會。
業內人士介紹,目前HBM製造主要採用“熱壓鍵合機”,通過加熱粘合劑實現連接。這與將普通芯片貼合到基板上的常規鍵合機不同,是專爲HBM生產定製的設備。
HBM通過增加堆疊層數來提升數據容量和傳輸速度。然而,層數越多,芯片越密集,變形和發熱的風險也隨之增高。混合鍵合機無需粘合劑即可實現接合,因此能製造出更薄、密度更高的半導體。
在熱壓鍵合機領域佔據全球九成份額的韓美半導體,計劃投入約1000億韓元(約合7200萬美元),在仁川市新建混合鍵合機專用工廠,目標是在2026年投產。
韓美半導體擁有與HBM製造相關的120項專利,並正與韓國本土的半導體薄膜沉積(成膜)、清洗設備製造商開展合作。該公司明確表示:“要在2030年前躋身全球設備供應商前十。”
據業內人士透露,SK海力士和三星電子也計劃,爲量產新一代HBM,於2026年至2027年在其半導體工廠全面引入混合鍵合機。
對韓國而言,半導體制造設備國產化是長期存在的課題。半導體制造涉及上千道工序,需要光刻、清洗等多種精密設備。該領域長期由美國應用材料、日本東京電子和荷蘭阿斯麥等國際巨頭主導供應。
日本經濟產業省資料顯示,韓國在全球半導體設備市場的份額僅爲2%。儘管在熱壓鍵合機等少數領域佔據領先地位,但韓國距離實現半導體產業鏈設備的全面國產化仍很遙遠。出於經濟安全考量,韓國政府方面也在一直呼籲提升設備與材料的自給率,2020年起每年撥出約1萬億韓元預算用於相關研發。
韓國半導體產業協會常務理事安基鉉(音)估計,韓國半導體制造商所使用的設備中,按金額計算的自產率僅約爲20%。他表示:“在(結構相對簡單的)鍵合機領域,國產化可能會取得進展,但在其他工藝環節,日美技術實力過於突出,難以追趕。短期內依賴海外採購的局面不會改變。”(編譯/沈紅輝)