陸傳EUV光刻技術獲重大突破　前ASML科學家林楠主導

▲EUV光刻機。（示意圖／翻攝ASML官網）

記者魏有德／綜合報導

大陸中科院上海光學精密機械研究所近日傳出前ASML首席科學家林楠率領研究團隊，繞過二氧化碳激光（雷射光，下同），使用固體激光器技術，成功開發出LPP-EUV光源，已達國際領先水準，對大陸國產芯片（晶片，下同）及自主研發EUV光刻機具重大意義和突破。

▲大陸中科院上海光機所研究員林楠。（圖／翻攝微博）

林楠團隊的研究成果發表於《中國激光》期刊雜誌第6期（2025年3月下），該團隊研究人員估計，光源實驗平臺的理論最大轉換效率可能接近6%，團隊正計劃增加進一步的研究，未來有望進一步實現國產EUV光刻技術。

公開資訊顯示，EUV光刻機中最核心的分系統是激光等離子體（LPP）EUV光源，其中，二氧化碳激光器激發的Sn等離子體 CE大於5%，是ASML光刻機的驅動光源，這類光源技術由美國Cymer製造，屬於全球壟斷地位。

在光刻機關鍵技術「卡脖子」的情況下，林楠團隊考慮使用固體脈衝激光器代替二氧化碳激光作爲驅動光源，但能量效率仍需進一步提升。現階段研究成果顯示，林楠團隊1um固體激光的CE最高可達3.42%，超過荷蘭和瑞士研究團隊的水平，雖仍未超過4%，但已達到商用光源5.5%轉化效率的一半。

至於該研究團隊的領銜人物林楠擁有衆多身份，他是大陸中科院上海光機所研究員、博導，大陸國家海外高層次人才，超強激光科學與技術全國重點實驗室副主任，精密光學工程部技術總師，中國儀器儀表學會集成電路分會委員，中國光學工程學會微納專委會委員，曾任荷蘭ASML公司研發科學家、研發部光源技術負責人。

林楠主攻機體電路製造光刻光源以及芯片量檢測光源研發與工程應用研究，師從2023諾貝爾物理學獎得主「Anne l'Huillier」。

截止目前爲止，林楠申請及授權美、日、韓等國國際專利110餘項，多項專利已完成產品轉化搭載在最新型光刻機及量檢測設備中。