力積電Q2虧33億、晶圓出貨季增近9%　總座：第3季訂單能見度低

▲力積電。（圖／翻攝自google map）

記者高兆麟／臺北報導

晶圓代工廠力積電（6770）今（15）日召開第2季法人說明會，總經理朱憲國指出，第3季整體訂單能見度偏低，特別是大中華區驅動IC與影像感測器需求疲弱，反觀歐美市場對電源管理晶片（PMIC）需求相對強勁。此外，由於一線大廠退出8Gb DDR4市場，力積電DRAM代工產能已全數滿載，預期價格自7月起將逐月上揚。

力積電Q2產能利用率由Q1的73%微幅上升至75%，晶圓出貨量約40萬片，季增8.67%，推升單季營收達新臺幣112.78億元，季增1%。不過受匯兌損失影響，單季虧損達33.34億元，毛損率9%，每股虧損0.8元，當中匯損即高達15.9億元。

雖然Q2表現小幅回溫，朱憲國坦言，目前接單狀況不如上半年熱絡，主要受到中美貿易政策及關稅不確定性影響，導致部分客戶提前投片，如今已明顯降溫。他並指出，大中華區市場需求偏弱，尤以驅動IC和CIS影像感測器最明顯，歐美市場則以PMIC表現相對穩健。

在產品組合方面，Q2高壓邏輯驅動晶片營收比重由14%升至17%，3D AI晶片中矽中介層相關產品也貢獻約2%營收。朱憲國表示，矽中介層產品目前已量產，以CoWoS-S爲主，CoWoS-L則處於客戶導入設計階段，公司也已通過資本支出案，將擴增該產能。

針對記憶體代工業務，朱憲國透露，目前DRAM代工投片需求強勁，並已採取投片報價機制，因此雖然報價已自7月起調漲，實際效益將於3至4個月後反映。此外，SLC Flash產品目前庫存健康、客戶下單意願轉強，24奈米制程新客戶亦持續導入中。

至於氮化鎵（GaN）方面，力積電100V平臺預期Q4進入試產，主攻AI伺服器電源應用；而650V平臺在競爭者退出後，客戶詢問度提高，公司也正擴大GaN機臺產能，以因應未來市場需求。

力積電錶示，目前P5新廠月產能約8500片，全年資本支出維持4.54億美元不變。今日法人說明會因技術問題，部分法人無法順利登入，整場會議報告時間僅約20分鐘即結束。