《科技》美光1Y DRAM出貨 瞄準邊緣AI運算需求

美光1Y DRAM節點將首先應用於其16Gb DDR5 DRAM，之後再陸續整合至美光的記憶體產品組合中，以因應AI產業對高效能、節能記憶體解決方案快速增長的需求。此16Gb DDR5產品旨在提供高達9200MT/秒的資料傳輸速率，與前一代產品相比，增速高達15%，功耗則同時降低逾20%。

隨着資料中心和邊緣裝置紛紛導入AI，記憶體的需求已飆升至史上新高。美光向1Y DRAM節點的邁進，有助於客戶克服亟需解決的關鍵挑戰，包括美光的1Y節點採用EUV微影技術、設計最佳化及製程創新，與前一代製程相比，每片晶圓的位元產出量多出30%以上，能有效擴大記憶體供應。美光1Y節點採用下一代高介電質金屬閘極CMOS技術，並搭配設計最佳化後，可節省功耗超過20%。

AMD伺服器平臺解決方案工程部門企業副總裁Amit Goel表示，已開始對美光1Y DDR5記憶體進行驗證。AMD致力繼續以適用於資料中心的下一代AMD EPYC產品及產品組合內的消費級處理器來推動運算生態系統發展。