嘉和半導體GaNrich中低壓氮化鎵 搶攻AI市場應用 臺灣首發

圖爲嘉和中低壓氮化鎵晶片。 嘉和∕提供

面對高效能電源解決方案的全球需求持續攀升，嘉和半導體GaN on Sapphire高壓產品自上市以來，市場接受度超出預期，客戶一波波相繼導入，並持續擴大應用版圖，快速提升氮化鎵元件市場滲透率。該系列產品憑藉Pin to Pin相容設計，可無縫取代傳統Si MOSFET元件，提供客戶能源效率認證要求之更高輕載效率，以及安規要求之更低元件操作溫度，小幅度調整便能提升性能，已成爲大功率應用領域效能推進的重要利器。

圖爲嘉和中低壓封裝形式5x3、5x6。 嘉和∕提供

嘉和中低壓封裝產品也同步發表5x6 Pin to Pin矽基產品。 嘉和∕提供

嘉和半導體此中低壓氮化鎵元件是臺灣市場首發，是全球目前少數可提供中低壓GaN FET之設計及製造商。透過腳位相容的特性，客戶可在不改變既有設計的情況下，輕鬆將氮化鎵技術導入至AI伺服器、電源磚、新能源及BBU等新興市場，全面提升整體系統競爭力。產品雖尚未量產，但詢問已經爆棚，樣品即將問世，已有多家廠商卡位爭相搶測。

嘉和半導體表示，此中低壓氮化鎵元件新系列產品有多項優勢，解決市場產品應用困境，包括：

1.Dual Side Cooling雙面散熱封裝設計：對於傳統矽基產品來說，雙面散熱屬於特殊製程，目前尚在起步階段，嘉和特別針對功率密度提升的要求，推出兼顧元件保護及散熱能力的封裝設計，可提供更好的系統散熱對策。

2.與DFN封裝MOSFET完全Pin to Pin相容：延用既有之設計加速導入客戶系統，採用覆晶封裝技術(Flip Chip)降低寄生電感，無打線設計大幅提升產品可靠度。有別於其他氮化鎵廠商產品之封裝熱阻劣勢，嘉和推出可媲美矽基封裝(雙面)散熱之全新技術。

3.集成封裝技術：透過嘉和自有封裝專利設計，可整合驅動/控制器成爲電源模塊，提供兼顧散熱與高頻操作之高密度電源選項。

中低壓氮化鎵元件的優勢讓應用領域逐漸廣泛，已成爲高功率元件應用市場的下一顆星，而嘉和氮化鎵產品可取代現有元件，是市場上少數擁有該技術之公司，更是臺灣的中低壓氮化鎵元件領導設計商。此外，嘉和具備從上游磊晶到下游模組應用的設計能力，串聯臺灣多家CMOS晶圓及封裝廠，包含多家6吋及8吋成熟製程供應鏈夥伴，透過虛擬IDM方式建置完整的價值鏈，攜手合作夥伴共同拓展高功率氮化鎵元件在全球市場的廣泛應用。