荷媒爆俄間諜滲透臺積電、ASML　竊取建28奈米晶圓廠機密

▲荷媒爆俄間諜滲透半導體大廠，竊取建 28 奈米晶圓廠機密，此爲示意圖。（圖／路透社）

記者高兆麟／綜合報導

根據荷媒《 NRC》 報導，俄羅斯工程師涉嫌向俄羅斯提供來自艾司摩爾（ASML）、恩智浦（NXP）和臺積電（2330）等半導體公司的機密訊息，協助俄羅斯建立具備 28 奈米制程的晶圓廠。

此名俄羅斯工程師German A.已經透過不法交易獲取約 4 萬歐元（約摺合臺幣145萬），目前恐面臨 18~32 個月的刑期。雖然 German A. 無法單獨竊取完整的半導體設計，但若有協同團隊參與，仍有可能對俄羅斯的半導體生產提供協助。

報導指出， German A.遭控提供 ASML、格羅方德、恩智浦、臺積電的機密技術資料給俄羅斯，包括半導體生產手冊及各類製造設備的技術文件。調查人員發現，他從 ASML 獲取 105 份內部文件，並竊取與臺積電相關的 88 份文件。

報導稱，這些資料未包含完整的晶圓製造設備藍圖，也無法直接構建完整的晶圓廠或製程技術，但是內容仍屬機密，可能有助於建立具備 28 奈米制程技術的產線，這個技術水準足以支援軍事應用。

2024年8月，國家情報機構接獲一份舉報，German A.因此遭捕。在被捕之前，German A. 在半導體研發與生產領域擁有長達十多年的職業生涯。根據 NRC 訪問的專家分析，泄露的資料可能包含技術簡報與操作手冊，但不包括構建晶圓製造設備或完整晶圓廠的核心技術。