HBM領域競爭落後 三星電子(SSNLF.US)芯片業務Q4營業利潤遠不及預期

智通財經APP獲悉，三星電子(SSNLF.US)關鍵芯片部門的利潤低於預期，給這家正在努力縮小與主要競爭對手SK海力士在人工智能領域差距的全球最大存儲芯片製造商的前景蒙上了一層陰影。三星半導體部門公佈的數據顯示，去年第四季度的營業利潤爲2.9萬億韓元(約合21億美元)，遠不及分析師平均預期的4.78萬億韓元，且低於去年第三季度的3.86萬億韓元。

本月早些時候，三星電子公佈的營業利潤和營收初步數據令人失望，但7.58萬億韓元的淨利潤好於分析師平均預期的7.95萬億韓元。三星在HBM領域落後於SK海力士。三星尚未向英偉達供應HBM芯片。英偉達首席執行官黃仁勳曾表示，三星需要“設計一種新方案”來爲英偉達供應HBM芯片。

相比之下，得益於AI需求的快速增長，作爲英偉達主要供應商的SK海力士在去年第四季度的營業利潤同比激增超過20倍，達到8.1萬億韓元，銷售額則同比增長75%至19.8萬億韓元。去年第四季度，HBM芯片佔SK海力士總DRAM芯片收入的40%。該公司預計，HBM芯片今年的銷售將增長一倍以上。

三星加大了研發和前端產能擴張的支出，以在HBM芯片領域趕超SK海力士和美光科技。與此同時，三星還面臨着個人電腦和移動設備對傳統半導體芯片需求的減弱。該公司本月早些時候表示，其智能手機、電視和其他家電也面臨着日益激烈的競爭，而其代工業務的開工率也有所下降。

投資者仍然擔心三星是否有能力在HBM芯片領域的競爭中重回領先地位。不過，最新消息顯示，三星已獲得批准向英偉達供應其第五代HBM芯片的一個版本。據悉，三星的8層HBM3E(一種較低級的HBM3E品種)於去年12月獲得英偉達的批准。儘管進展不大，但這是三星爲獲得英偉達的HBM3E芯片批准奮鬥一年之後取得的進展。但三星仍明顯落後於SK海力士，後者在2024年初成爲首家量產8層HBM3E的供應商，並於去年年底開始供應更先進的12層品種。