國研院與旺宏合作開發新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體

國家實驗研究院臺灣半導體研究中心攜手記憶體制造大廠旺宏，開發出具體積小（高密度）、高頻寬、能耗低、耐用度高等優勢的「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體」（3D DRAM）。記者侯永全／攝影

國家實驗研究院臺灣半導體研究中心上午宣佈攜手記憶體制造大廠旺宏，開發出具體積小（高密度）、高頻寬、能耗低、耐用度高等優勢的「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體」（3D DRAM），成爲全世界最早開發出此種新型3D DRAM的團隊之一。

AI人工智慧產品如今已廣泛使用在各行各業的不同情境，其中負責儲存資料的隨機存取記憶體（Random Access Memory, RAM）元件，在AI晶片中扮演極重要的角色。AI晶片需要進行極大量、極快速的資料運算。於現在的AI晶片整體架構中，是利用半導體封裝技術，將2D平面製作的DRAM層層堆疊及串連在一起，製作高頻寬記憶體HBM（High Bandwidth Memory），而記憶體的頻寬仍受此封裝技術上的限制，加上現有的DRAM耗能也高，增加了AI晶片的總耗電量。

如何製造出更高頻寬（傳輸訊號更快）、更高密度（更大容量）且更低耗能的HBM，成爲目前全世界各研發單位及記憶體大廠的主軸研發方向。因此，國科會轄下國家實驗研究院臺灣半導體研究中心與臺灣記憶體制造大廠旺宏電子公司合作，成功開發出「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體」。

具體積小（高密度）、高頻寬、能耗低、耐用度高等優勢的「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體」（3D DRAM）。記者侯永全／攝影

國家實驗研究院臺灣半導體研究中心上午宣佈攜手記憶體制造大廠旺宏，開發出「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體」，成爲全世界最早開發出新型3D DRAM的團隊之一，國家實驗研究院長蔡宏營（左三）、國研院臺灣半導體研究中心主任侯拓宏（右三）及旺宏電子前瞻技術實驗室處長謝光宇（左二）等人出席發佈記者會。記者侯永全／攝影