攻GaN 力積電100V平臺Q4試產

力積電總經理朱憲國指出，下半年持續聚焦DRAM代工、3D AI先進製程與氮化鎵（GaN）代工等高附加價值產品，帶動營運結構優化。圖／本報資料照片

力積電近六季營運概況

力積電（6770）舉行法說會，公佈第二季因新臺幣升值與帳面匯損影響，單季淨損擴大至33.3億元，每股稅後虧損0.8元，較第一季虧損明顯擴大。力積電總經理朱憲國指出，下半年持續聚焦DRAM代工、3D AI先進製程與氮化鎵（GaN）代工等高附加價值產品，帶動營運結構優化。

朱憲國強調，8吋GaN應用在AI server的100V技術平臺開發已近完成，第一批產品已送樣客戶認證中，預計今年第四季開始試產。同時，Navitas日前對外公告友廠退出GaN代工市場，使得650V技術平臺引起市場廣泛注意，近日美日客戶對力積電GaN代工詢問度確實明顯提升。

展望後市，朱憲國提出了五大營運重點，邏輯產品方面，第三季能見度仍低，大中華區驅動IC、影像感測元件（CIS）需求偏弱，但歐美電源管理IC（PMIC），特別是AI應用相關需求依舊強勁。

其次，DRAM代工需求回升，受一線大廠宣佈退出8G DDR4市場影響，帶動客戶提前備貨，投片需求滿載，投片ASP自上月起逐月上揚。力積電預期，此效益將於三至四個月後陸續反映營收與毛利表現上。

朱憲國強調，SLC Flash產品線需求回溫，隨終端客戶庫存去化，備貨意願回升。24奈米SLC Flash已量產，因應主流大廠未來幾年逐步退出SLC市場，力積電客戶設計導入積極，後續出貨動能可期。

力積電也加速3D AI Foundry與Interposer（中介板）佈局，第二季Interposer小量出貨，目前以CoWoS-S爲主，此外CoWoS-L也提供給客戶設計導入。日前董事會已通過Interposer擴增產能的資本支出提案，今明二年對毛利貢獻逐步浮現。DRAM四層WoW堆疊搭配友廠先進製程晶片驗證順利進行中，DRAM八層WoW堆疊技術也配合客戶開發，未來連同Interposer會成爲3D AI Foundy的主要獲利來源。

力積電第二季合併營收112.78億元，季增1.5％，第二季出貨量約40萬片，季增9％，但因新臺幣升值影響，平均銷售單價（ASP）下滑約2％至3％，臺幣計價營收增幅僅1.5％。

惟匯率因素對獲利造成顯著衝擊，第二季帳面匯兌損失15.9億元，導致第二季單季虧損33.3億元。上半年累計虧損44.3億元，累計前6月每股虧損1.06元。