傳三星將採用長江存儲專利混合鍵合技術

上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經成功地將密度提高到行業相同的水平，實現了最高的垂直柵密度，也是現階段商業產品中最高的，使其成爲了全球NAND閃存市場的有力競爭者。

據TrendForce報道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，採用長江存儲的專利混合鍵合技術。三星的目標是在2025年下半年開始量產第10代V-NAND閃存，預計總層數達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協議的談判。

大概在四年前，長江存儲率先將名爲“晶棧（Xtacking）架構”的混合鍵合技術應用於3D NAND閃存，隨後逐步建立了強大的專利組合。三星在之前的NAND閃存裡採用了COP（Cell-on-Periphery）結構，將外圍電路放在一塊晶圓上，然後單元堆疊在上面，不過當層數超過400層時，下層外圍電路的壓力會影響可靠性。改用混合鍵合技術後，消除了對凸塊的需求，縮短了電路，從而提高了性能和散熱性。

據瞭解，目前Xperi、長江存儲、以及臺積電（TSMC）擁有大多數混合鍵合技術的專利。三星之所以選擇與長江存儲合作，很大程度上是因爲接下來的第11代和第12代V-NAND閃存都很難繞過後者的專利。